?

EPC2036

¥1.72

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 1A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 65 毫欧 @ 1A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 600μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : .91nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 90pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2035

¥2.11

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 1A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 45 毫欧 @ 1A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 800μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : 1.15nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 115pF @ 30V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2038

¥2.52

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 500mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 3.3 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : .044nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 8.4pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2040

¥2.52

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 15V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 3.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 30 毫欧 @ 1.5A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : .93nC @ 5V Vgs(最大值) : .93nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 105pF @ 6V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2037

¥3.21

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 1.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 550 毫欧 @ 100mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : .12nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 14pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2014C

¥3.48

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 10A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 16 毫欧 @ 10A, 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : 2.5nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 300pF @ 20V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面(5 焊条) 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2039

¥4.23

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 6.8A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 25 毫欧 @ 6A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : 2.4nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 210pF @ 40V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2007C

¥5.17

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 6A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 30 毫欧 @ 6A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : 2.2nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 220pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面(5 焊条) 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2016C

¥6.22

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 18A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 16 毫欧 @ 11A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : 4.5nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 420pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2012C

¥6.66

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 100 毫欧 @ 3A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : 1.3nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 140pF @ 100V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面(4 焊条) 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2019

¥9.13

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 8.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 50 毫欧 @ 7A、5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 1.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : 2.5nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 270pF @ 100V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2001C

¥12.13

系列 : eGaN? 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 36A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) : 7 毫欧 @ 25A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) : 9nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 900pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面(11 焊条) 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售